大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻
嚴格的質(zhì)量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
氮化鎵作為新型半導(dǎo)體材料，對電子廠家的產(chǎn)品升級和市場競爭力提···
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氮化鎵作為高轉(zhuǎn)換效率寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，基于氮化鎵功率器件開發(fā)的快充方案，使用高度集成的氮化鎵功率芯片，可以獲得精簡的外圍電路，僅需搭配幾顆降壓MOS和VBUS開關(guān)管即可組成一個方案，有效減少PCB板占板面積和降低主板溫度，有效提升功率密度，使得液晶TV獲得更輕薄的設(shè)計和更低的研發(fā)成本
