大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測流程
用芯片點亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
氮化鎵作為新型半導(dǎo)體材料，對電子廠家的產(chǎn)品升級和市場競爭力提···
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其獨特···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的···
一、新聞導(dǎo)讀近日，國務(wù)院印發(fā)《推動大規(guī)模設(shè)備更新和消費品以舊換新行動方案》（以下簡稱《行動方案》），統(tǒng)籌擴大內(nèi)需和深化供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革，結(jié)合各類設(shè)備和消費品更新?lián)Q代差異化需求，圍繞實施設(shè)備更新、消費品···
2024-06-27
氮化鎵作為新型半導(dǎo)體材料，對電子廠家的產(chǎn)品升級和市場競爭力提升極具價值。 對廠家的核心好處 降低長期成···
2025-11-20
一個充電器的本質(zhì)工作是將墻上插座的高壓交流電（AC）轉(zhuǎn)換為設(shè)備所需的低壓直流電（DC）。氮化鎵（GaN）技···
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其獨特的物理特性，正在電力電子和射頻等領(lǐng)域展現(xiàn)···
氮化鎵在高頻性能方面的不可替代優(yōu)勢 1、5G 通信基站 在5G通信領(lǐng)域，氮化鎵已成為基站功率放大器的首選材料···
2025-10-23
隨著生成式AI和大語言模型的爆發(fā)式增長，全球算力需求呈指數(shù)級攀升。這股浪潮的直接后果是數(shù)據(jù)中心能源消耗···
隨著全球?qū)δ苄А⒐β拭芏群拖到y(tǒng)小型化要求的不斷提升，傳統(tǒng)硅基功率器件的性能已逼近其物理極限。作為第三···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）為核心材料的功率器件正引領(lǐng)著電力電子領(lǐng)域···
2025-09-17
碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢碳化硅之所以能在半導(dǎo)體領(lǐng)域異軍突起，核心在于其能夠克服傳統(tǒng)硅基器件在高功率、···
迎接第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設(shè)計領(lǐng)域，小型化、高效化、高可靠性已成為不可逆的趨勢。傳統(tǒng)硅基器件的···
2025-08-20
